自主研發(fā)、國際首創(chuàng)先進存儲技術在滬發(fā)布
人民網上海8月22日電(葛俊俊)今年7月15日,《中共中央國務院關于支持浦東新區(qū)高水平改革開放打造社會主義現代化建設引領區(qū)的意見》正式發(fā)布,要求上海浦東在集成電路、生物醫(yī)藥、人工智能三大產業(yè),打造世界級產業(yè)集群,打造“自主創(chuàng)新發(fā)展的時代標桿”“建設國際科技創(chuàng)新中心核心區(qū)”。
8月22日,由上海自貿區(qū)年輕科創(chuàng)企業(yè)中天弘宇自主研發(fā)、國際首創(chuàng)先進存儲技術在浦東發(fā)布。上海市、浦東新區(qū)等相關部門,國際半導體協會等行業(yè)組織出席。
該技術運用“二次電子倍增注入浮柵”的物理現象,創(chuàng)造性地對閃存存儲進行了重構,初步構建了擁有國內、國際完整自主知識產權專利的系列新型高性能快閃存儲器產品,“在非易失存儲領域屬國際首創(chuàng)技術”。該項發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區(qū)申請了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利,其中多項核心專利已獲批,專利體系化建設在不斷完善之中。
中國工程院院士倪光南視頻致辭
中國工程院院士倪光南在視頻致辭中指出,該技術是一項重大發(fā)明,實現了中國存儲器底層技術零的突破,希望企業(yè)與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力,設計創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產品,提高自主原創(chuàng)存儲器的市場份額。
“當前正處于集成電路發(fā)展的黃金時期,浦東涌現出了很多自主創(chuàng)新、敢于創(chuàng)新的優(yōu)秀企業(yè)!逼謻|新區(qū)副區(qū)長吳強指出,在搶占科技競爭和未來發(fā)展的制高點,浦東正全力加速發(fā)展,也希望向全球展示浦東的創(chuàng)新氛圍和肥沃土壤。
中天弘宇董事長張佳致辭
中天弘宇董事長張佳回顧了企業(yè)進入集成電路行業(yè)七年來的奮斗歷程,對方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義,以及與傳統(tǒng)技術的區(qū)別及優(yōu)勢,并對未來技術及產品的發(fā)展規(guī)劃做了介紹。
圓桌論壇
當天,新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產業(yè)協會中國區(qū)總裁居龍、南芯半導體市場總監(jiān)劉崇和資深工藝專家官浩等,共同研討了國內先進存儲技術和產業(yè)化進展狀況,針對產業(yè)鏈融合、工藝實現、市場推廣、融資策略等方面,提出了真知灼見。
分享讓更多人看到